写于 2017-02-01 05:01:21| w88优德官网首页| 市场
三星电子表示,将在平泽半导体工厂建立一条DRAM生产线。 Pyeongtaek工厂目前仅生产3D(3D)V(垂直)NAND闪存。三星电子在3月31日的电话会议上表示,“我们计划在平泽工厂的顶层(二楼)使用一些空间进行DRAM扩展。”三星电子表示,今年将用Hwasung工厂取代其部分11线DRAM生产线的图像传感器产品线,据称这将弥补DRAM生产设施的缩减。因此,Hwasung工厂的一些NAND封装器已经转换为DRAM,而Pyeongtaek工厂预计将包括一些DRAM生产线。三星电子计划在平泽工厂二楼建一个洁净室。然而,考虑到市场条件和向10纳米工艺的过渡,三星电子计划灵活应对启动时间和设备容量。三星电子还表示,由于担心明年DRAM半导体供应过剩,供过于求的可能性很小。三星电子表示,“在需求方面,由于云服务的扩展,新CPU平台的推出以及机器学习和人工智能(人工智能)的推出,对DRAM的需求将会增加。”在NAND闪存的决议,在设备引进,如AI在移动市场的情况下,这一趋势持续到2018年,和4K内容的需求扩大,他预计会保持稳定。在供应方面,由于不确定半导体行业是否会转向1x Nano(DRAM)和3D NAND闪存,因此预计供需总体趋紧。三星电子表示,“根据(工业)流程转移程度和客户需求,我们将看到每种应用的不同供需情况。”三星电子还在为其新型图像传感器产品准备3层图像传感器。 3堆叠图像传感器是附着图像传感器的图像传感器,将光转换为电信号的逻辑芯片,以及作为存储器件的DRAM。特别是,可以比NAND闪存更快地记录临时存储在DRAM中的图像,因此每秒可以拍摄数百张图像。 “我们作为一个高端和中高端市场为导向的招聘,明年有望加速迅速扩大的”三星“超级慢动作将是一个新的产品,提供了相同的独特的用户体验,说:”他说。三星电子计划明年将该产品商业化。该公司还宣布已成功批量生产汽车,物联网(互联网)和美洲及欧洲消费品的FDSY(全保税硅)产品。 FDSY是晶圆薄膜中的氧化硅薄膜,可防止电荷从其他地方逸出,适用于低功耗解决方案。